ОАО «Гиредмет»:

Ю. Н. Пархоменко

А. И. Белогорохов

ГОУ ВПО «СОГУ им. К. Л. Хетагурова:

А. П. Блиев

В. Г. Созанов

Представлены результаты исследований образцов наноразмерного кремния (НК), не деградирующих под действием интенсивного лазерного излучения. Показано, что значительное увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции от НК может быть связано как с особенностями их структурного строения, так и с наличием тонкого слоя SiO₂ на поверхности нанокристаллов.

1. Canham, L. T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L. T. Canham // Appl. Phys. Lett. − 1990. − V. 57, N 10. − P. 1046—1048.
2. Banerjee, S. Comment on «Role of interfacial oxide−related defects in the red−light emission in porous silicon» / S. Banerjee // Phys. Rev. B. − 1995. − V. 51, N 16. − P. 11180—11182.
3. Аверкиев, Н. С. Тонкая структура красной полосы фотолюминесценции пористого кремния / Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, И. И. Марков, А. Ю. Силов, В. И. Степанов, А. В. Чурилов, Н. Е. Мокроусов // Письма в ЖЭТФ. − 1992. − Т. 55, вып. 11. − С. 657—660.
4. Delerue, C. Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon / C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo // Phys. Rev. B. − 1993. − V. 48, N 15. − P. 11024—11036.
5. Takagahara, T. Theory of the quantum confinement effect on excitons in quantum dots of indirect−gap materials / T. Takagahara, K. Takeda // Phys. Rev. B. − 1992. − V. 46. − P. 15578.
6. Belogorokhov, A. I. Enhanced photoluminescence from porous silicon formed by non−standard preparation / Belogorokhov A. I., Enderlein R., Tabata A., Leite J. R., Karavanskii V. A., Belogorokhova L. I. // Phys. Rev. B. − 1997. − V. 56, N 16. − Р. 10276—10282.
7. Ribeiro, E. Tridimension structural characterization of porous silicon by transmission electron microscopy and Raman scattering / E. Ribeiro, F. Cerdeira, O. Teschke // Solid State Communications. − 1997. − V. 101, N 5. − P. 327—331.
8. Gavrilov, S. A. / S. A. Gavrilov, I. N. Sorokin, V. A. Karavanskii, M. O. Bashkin, A. Yu. Trifonov // Mat. 10 Intern. Conf. on Thin Films. Abstracts Book. − Salamanca (Spain), 1996. − P. 85.
9. Chen, H. Passivation of porous silicon by wet thermal oxidation / H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, X. Wang // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, N 6. − P. 3282—3285.